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通過(guò)6個(gè)實(shí)例電路分析,詳解雷擊浪涌的防護

更新時(shí)間:2022-07-04      點(diǎn)擊次數:628

1、電子設備雷擊浪涌抗擾度試驗標準

電子設備雷擊浪涌抗擾度試驗的國家標準為GB/T17626.5(等同于國際標準IEC61000-4-5 )。

標準主要是模擬間接雷擊產(chǎn)生的各種情況:

  (1)雷電擊中外部線(xiàn)路,有大量電流流入外部線(xiàn)路或接地電阻,因而產(chǎn)生的干擾電

  (2)間接雷擊(如云層間或云層內的雷擊)在外部線(xiàn)路上感應出電壓和電流。

  (3)雷電擊中線(xiàn)路鄰近物體,在其周?chē)⒌膹姶箅姶艌?chǎng),在外部線(xiàn)路上感應出電壓。

  (4)雷電擊中鄰近地面,地電流通過(guò)公共接地系統時(shí)所引進(jìn)的干擾。

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標準除了模擬雷擊外,還模擬變電所等場(chǎng)合,因開(kāi)關(guān)動(dòng)作而引進(jìn)的干擾(開(kāi)關(guān)切換時(shí)引起電壓瞬變),如:

  (1)主電源系統切換時(shí)產(chǎn)生的干擾(如電容器組的切換)。

  (2)同一電網(wǎng),在靠近設備附近的一些較小開(kāi)關(guān)跳動(dòng)時(shí)的干擾。

  (3)切換伴有諧振線(xiàn)路的晶閘管設備。

  (4)各種系統性的故障,如設備接地網(wǎng)絡(luò )或接地系統間的短路和飛弧故障。

標準描述了兩種不同的波形發(fā)生器:一種是雷擊在電源線(xiàn)上感應生產(chǎn)的波形;另一種是在通信線(xiàn)路上感應產(chǎn)生的波形。

這兩種線(xiàn)路都屬于空架線(xiàn),但線(xiàn)路的阻抗各不相同:在電源線(xiàn)上感應產(chǎn)生的浪涌波形比較窄一些(50uS),前沿要陡一些(1.2uS);而在通信線(xiàn)上感應產(chǎn)生的浪涌波形比較寬一些,但前沿要緩一些。后面我們主要以雷擊在電源線(xiàn)上感應生產(chǎn)的波形來(lái)對電路進(jìn)行分析,同時(shí)也對通信線(xiàn)路的防雷技術(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

2、模擬雷擊浪涌脈沖生成電路的工作原理

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上圖是模擬雷電擊到配電設備時(shí),在輸電線(xiàn)路中感應產(chǎn)生的浪涌電壓,或雷電落地后雷電流通過(guò)公共地電阻產(chǎn)生的反擊高壓的脈沖產(chǎn)生電路。4kV時(shí)的單脈沖能量為100焦耳。

圖中Cs是儲能電容(大約為10uF,相當于雷云電容);Us為高壓電源;Rc為充電電阻;Rs為脈沖持續時(shí)間形成電阻(放電曲線(xiàn)形成電阻);Rm為阻抗匹配電阻Ls為電流上升形成電感。

雷擊浪涌抗擾度試驗對不同產(chǎn)品有不同的參數要求,上圖中的參數可根據產(chǎn)品標準要求不同,稍有改動(dòng)。

基本參數要求:

(1)開(kāi)路輸出電壓:0.5~6kV,分5等級輸出,最后一級由用戶(hù)與制造商協(xié)商確定;

(2)短路輸出電流:0.25~2kA,供不同等級試驗用;

(3)內阻:2 歐姆,附加電阻10、12、40、42歐姆,供其它不同等級試驗

(4)涌輸出極性:正/負;浪涌輸出與電源同步時(shí),移相0~360度;

(5)重復頻率:至少每分鐘一次。

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雷擊浪涌抗擾度試驗的嚴酷等級分為5級:

1級:較好保護的環(huán)境;

2級:有一定保護的環(huán)境;

3級:普通的電磁騷擾環(huán)境、對設備未規定特殊安裝要求,如工業(yè)性的工作場(chǎng)所;

4級:受?chē)乐仳}擾的環(huán)境,如民用空架線(xiàn)、未加保護的高壓變電所。

X級:由用戶(hù)與制造商協(xié)商確定。

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圖中18uF電容,可根據嚴酷等級不同,選擇數值也可不同,但大到一定值之后,基本上就沒(méi)有太大意義。

10歐姆電阻以及9uF電容,可根據嚴酷等級不同,選擇數值也不同,電阻最小值可選為0歐姆(美國標準就是這樣), 9uF電容也可以選得很大,但大到一定值之后,基本上就沒(méi)有太大意義。

3、共模浪涌抑制電路

防浪涌設計時(shí),假定共模與差模這兩部分是彼此獨立的。然而,這兩部分并非真正獨立,因為共模扼流圈可以提供相當大的差模電感。這部分差模電感可由分立的差模電感來(lái)模擬。

為了利用差模電感,在設計過(guò)程中,共模與差模不應同時(shí)進(jìn)行,而應該按照一定的順序來(lái)做。首先,應該測量共模噪聲并將其濾除掉。采用差模抑制網(wǎng)絡(luò )(Differential Mode Rejection Network),可以將差模成分消除,因此就可以直接測量共模噪聲了。

如果設計的共模濾波器要同時(shí)使差模噪聲不超過(guò)允許范圍,那么就應測量共模與差模的混合噪聲。因為已知共模成分在噪聲容限以下,因此超標的僅是差模成分,可用共模濾波器的差模漏感來(lái)衰減。對于低功率電源系統,共模扼流圈的差模電感足以解決差模輻射問(wèn)題,因為差模輻射的源阻抗較小,因此只有極少量的電感是有效的。

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對4000Vp以下的浪涌電壓進(jìn)行抑制,一般只需采用LC電路進(jìn)行限流和平滑濾波,把脈沖信號盡量壓低到2~3倍脈沖信號平均值的水平即可。電感很容易飽和,因此,L1、L2一般都采用一種漏感很大的共模電感。

用在交流,直流的都有,通常我們在電源EMI濾波器,開(kāi)關(guān)電源中常見(jiàn)到,而直流側少見(jiàn),在汽車(chē)電子中能夠看到用在直流側。
加入共模電感是為了消除并行線(xiàn)路上的共模干擾(有兩線(xiàn)的,也有多線(xiàn)的)。由于電路上兩線(xiàn)阻抗的不平衡,共模干擾最終體現在差模上。用差模濾波方法很難濾除。
共模電感到底需要用在哪。共模干擾通常是電磁輻射,空間耦合過(guò)來(lái)的,那么無(wú)論是交流還是直流,你有長(cháng)線(xiàn)傳輸,就涉及到共模濾波就得加共模電感。例如:USB線(xiàn)好多就在線(xiàn)上加磁環(huán)。 開(kāi)關(guān)電源入口,交流電是遠距離傳輸過(guò)來(lái)的就需要加。通常直流側不需要遠傳就不需要加了。沒(méi)有共模干擾,加了就是浪費,對電路沒(méi)有增益。

電源濾波器的設計通??蓮墓材:筒钅煞矫鎭?lái)考慮。共模濾波器最重要的部分就是共模扼流圈,與差模扼流圈相比,共模扼流圈的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)在于它的電感值*,而且體積又小,設計共模扼流圈時(shí)要考慮的一個(gè)重要問(wèn)題是它的漏感,也就是差模電感。通常,計算漏感的辦法是假定它為共模電感的1%,實(shí)際上漏感為共模電感的0.5% ~4%之間。在設計*性能的扼流圈時(shí),這個(gè)誤差的影響可能是不容忽視的。

漏感的重要性

漏感是如何形成的呢?緊密繞制,且繞滿(mǎn)一周的環(huán)形線(xiàn)圈,即使沒(méi)有磁芯,其所有磁通都集中在線(xiàn)圈“芯"內。但是,如果環(huán)形線(xiàn)圈沒(méi)有繞滿(mǎn)一周,或者繞制不緊密,那么磁通就會(huì )從芯中泄漏出來(lái)。這種效應與線(xiàn)匝間的相對距離和螺旋管芯體的磁導率成正比。

共模扼流圈有兩個(gè)繞組,這兩個(gè)繞組被設計成使它們所流過(guò)的電流沿線(xiàn)圈芯傳導時(shí)方向相反,從而使磁場(chǎng)為0。如果為了安全起見(jiàn),芯體上的線(xiàn)圈不是雙線(xiàn)繞制,這樣兩個(gè)繞組之間就有相當大的間隙,自然就引起磁通“泄漏",這即是說(shuō),磁場(chǎng)在所關(guān)心的各個(gè)點(diǎn)上并非真正為0。共模扼流圈的漏感是差模電感。事實(shí)上,與差模有關(guān)的磁通必須在某點(diǎn)上離開(kāi)芯體,換句話(huà)說(shuō),磁通在芯體外部形成閉合回路,而不僅僅只局限在環(huán)形芯體內。

一般CX電容可承受4000Vp的差模浪涌電壓沖擊,CY電容可承受5000Vp的共模電壓沖擊。正確選擇L1、L2和CX2、CY參數的大小,就可以抑制4000Vp以下的共模和差模浪涌電壓。但如果兩個(gè)CY電容是安裝在整機線(xiàn)路之中,其總容量不能超過(guò)5000P,如要抑制浪涌電壓超過(guò)4000Vp,還需選用耐壓更高的電容器,以及帶限幅功能的浪涌抑制電路。

所謂抑制,只不過(guò)是把尖峰脈沖的幅度降低了一些,然后把其轉換成另一個(gè)脈沖寬度相對比較寬,幅度較為平坦的波形輸出,但其能量基本沒(méi)有改變。

兩個(gè)CY電容的容量一般都很小,存儲的能量有限,其對共模抑制的作用并不很大,因此,對共模浪涌抑制主要靠電感L1和L2,但由于L1、L2的電感量也受到體積和成本的限制,一般也難以做得很大,所以上面電路對雷電共模浪涌電壓抑制作用很有限。

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圖(a)中L1與CY1、 L2與CY2,分別對兩路共模浪涌電壓進(jìn)行抑制,計算時(shí)只需計算其中一路即可。?對L1進(jìn)行精確計算,須要求解一組2階微分方程,結果表明:電容充電是按正弦曲線(xiàn)進(jìn)行,放電是按余弦曲線(xiàn)進(jìn)行。但此計算方法比較復雜,這里采用比較簡(jiǎn)單的方法。

共模信號是一個(gè)幅度為Up、寬度為τ的方波,以及CY電容兩端的電壓為Uc,測流過(guò)電感的電流為一寬度等于2τ的鋸齒波:

流過(guò)電感的電流為:

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流過(guò)電感的最大電流為:

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在2τ期間流過(guò)電感的平均電流為:

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由此可以求得CY電容在2τ期間的電壓變化量為:

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上面公式是計算共模浪涌抑制電路中電感L和電容CY參數的計算公式,式中,Uc為CY電容兩端的電壓,也是浪涌抑制電路的輸出電壓,?Uc為CY電容兩端的電壓變化量,但由于雷電脈沖的周期很長(cháng),占空比很小,可以認為Uc = ?Uc,Up為共模浪涌脈沖的峰值,q為CY電容存儲的電荷,τ為共模浪涌脈沖的寬度,L為電感,C為電容。

根據上面公式,假設浪涌峰值電壓Up=4000Vp,電容C=2500p,浪涌抑制電路的輸出電壓Uc=2000Vp,則需要電感L的數值為1H。顯然這個(gè)數值非常大,在實(shí)際中很難實(shí)現,所以上面電路對雷電共模抑制的能力很有限,此電路還需進(jìn)一步改進(jìn)。

差模浪涌電壓抑制,主要是靠圖中的濾波電感L1、L2 ,和濾波電容CX ,L1、L2濾波電感和CX濾波電容等參數的選擇,同樣可以用下面公式來(lái)進(jìn)行計算。

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但上式中的L應該等于L1和L2兩個(gè)濾波電感之和,C=CX,Uc等于差模抑制輸出電壓。一般,差模抑制輸出電壓應不大于600Vp,因為很多半導體器件和電容的最大耐壓都在此電壓附近,并且,經(jīng)過(guò)L1和L2兩個(gè)濾波電感以及CX電容濾波之后,雷電差模浪涌電壓的幅度雖然降低了,但能量基本上沒(méi)有降低,因為經(jīng)過(guò)濾波之后,脈沖寬度會(huì )增加,一旦器件被擊穿,大部分都無(wú)法恢復到原來(lái)的狀態(tài)。

根據上面公式,假設浪涌峰值電壓Up=4000Vp,脈沖寬度為50uS,差模浪涌抑制電路的輸出電壓Uc=600Vp,則需要LC的數值為14mH×uF。顯然,這個(gè)數值對于一般電子產(chǎn)品的浪涌抑制電路來(lái)說(shuō)還是比較大的,相比之下,增加電感量要比增加電容量更有利,因此最好選用一種有3個(gè)窗口、用矽鋼片作鐵芯,電感量相對較大(大于20mH)的電感作為浪涌電感,這種電感共模和差模電感量都很大,并且不容易飽和。 順便指出,整流電路后面的電解濾波電容,同樣也具有抑制浪涌脈沖的功能,如果把此功能也算上,其輸出電壓Uc就不能選600Vp,而只能選為電容器的最高耐壓Ur(400Vp)。

4、雷擊浪涌脈沖電壓抑制常用器件 

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避雷器件主要有陶瓷氣體放電管、氧化鋅壓敏電阻、半導體閘流管(TVS)、浪涌抑制電感線(xiàn)圈、X類(lèi)浪涌抑制電容等,各種器件要組合使用。

氣體放電管的種類(lèi)很多,放電電流一般都很大,可達數十kA,放電電壓比較高,放電管從點(diǎn)火到放電需要一定的時(shí)間,并且存在殘存電壓,性能不太穩定;氧化鋅壓敏電阻伏安特性比較好,但受功率的限制,電流相對比放電管小,多次被雷電過(guò)流擊穿后,擊穿電壓值會(huì )下降,甚至會(huì )失效;

半導體TVS管伏安特性最好,但功率一般都很小,成本比較高;浪涌抑制線(xiàn)圈是最基本的防雷器件,為防流過(guò)電網(wǎng)交流電飽和,必須選用三窗口鐵芯;X電容也是必須的,要選用容許紋波電流較大的電容。

氣體放電管

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氣體放電管指作過(guò)電壓保護用的避雷.管.或天線(xiàn)開(kāi)關(guān)管一類(lèi),管內有二個(gè)或多個(gè)電極,充有一定量的惰性氣體。氣體放電管是一種間隙式的防雷保護元件,它用在通信系統的防雷保護。

放電管的工作原理是氣體間隙放電i當放電管兩極之間施加一定電壓時(shí),便在極間產(chǎn)生不均勻電場(chǎng):在此電場(chǎng)作用下,管內氣體開(kāi)始游離,當外加電壓增大到使極間場(chǎng)強超過(guò)氣體的絕緣強度時(shí),兩極之間的間隙將放電擊穿,由原來(lái)的絕緣狀態(tài)轉化為導電狀態(tài),導通后放電管兩極之間的電壓維持在放電弧道所決定的殘壓水平,這種殘壓一般很低,從而使得與放電管并聯(lián)的電子設備免受過(guò)電壓的損壞。

氣體放電管有的是以玻璃作為管子的封裝外殼.也有的用陶瓷作為封裝外殼,放電管內充入電氣性能穩定的惰性氣體(如氬氣和氖氣等),常用放電管的放電電極一般為兩個(gè)、三個(gè),電極之間由惰性氣體隔開(kāi)。按電極個(gè)數的設置來(lái)劃分,放電管可分為二極、三極放電管。

陶瓷二極放電管由純鐵電極、鎳鉻鈷合金帽、銀銅焊帽和陶瓷管體等主要部件構成。管內放電電極上涂覆有放射性氧化物,管體內壁也涂覆有放射性元素,用于改善放電特性。

放電電極主要有桿形和杯形兩種結構,在桿形電極的放電管中,電極與管體壁之間還要加裝一個(gè)圓筒熱屏,該熱屏可以使陶瓷管體受熱趨于均勻,不致出現局部過(guò)熱而引起管斷裂。熱屏內也涂覆放射性氧化物,以進(jìn)一步減小放電分散性。在杯形電極的放電管中,杯口處裝有鉬網(wǎng),杯內裝有銫元素,其作用也是減小放電分散性。

三極放電管也是由純鐵電極、鎳鉻鈷合金帽、銀銅焊帽和陶瓷管體等部件構成。與二極放電管不同,在三極放電管中增加了鎳鉻鈷合金圓筒,作為第三極,即接地電極。

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主要參數:

(1)直流擊穿電壓。此值由施加一個(gè)低上升速率(dv/dt=100V/s)的電壓值來(lái)決定。

(2)沖擊(或浪涌)擊穿電壓。它代表放電管的動(dòng)態(tài)特性,常用上升速率為dv/dt=1kV/us的電壓值來(lái)決定。

(3)標稱(chēng)沖擊放電電流。8/20us波形(前沿8us,半峰持續時(shí)間20us)的額定放電電流,通常放電10次。

(4)標準放電電流。通過(guò)50Hz交流電流的額定有效值,規定每次放電的時(shí)間為1s,放電10次。

(5)最大單次沖擊放電電流。對8/20us電流波的單次最大放電電流。

(6)耐工頻電流值。對8/20us電流波的單次最大放電電流。對50Hz交流電,能經(jīng)受連續9個(gè)周波的最大電流的有效值。

(7)絕緣電阻。對8/20us電流波的單次最大放電電流。對50Hz交流電,能經(jīng)受連續9個(gè)周波的最大電流的有效值。

(8)電容。放電管電極間的電容,一般在2~10pF之間,是所有瞬變干擾吸收器件中最小的。

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金屬氧化物壓敏電阻

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壓敏電阻一般都是以氧化鋅為主要成分,另加少量的其它金屬氧化物(顆粒),如:鈷、猛、鉍等壓制而成。由于兩種不同性質(zhì)的物體組合在一起,相當于一個(gè)PN結(二極管),因此,壓敏電阻相當于眾多的PN結串、并聯(lián)組成。

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5、超高浪涌電壓抑制電路 

實(shí)例1

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上圖是一個(gè)可抗擊較強雷電浪涌脈沖電壓的電原理圖,圖中:G1、G2為氣體放電管,主要用于對高壓共模浪涌脈沖抑制,對高壓差模浪涌脈沖也同樣具有抑制能力;VR為壓敏電阻,主要用于對高壓差模浪涌脈沖抑制。經(jīng)過(guò)G1、G2和VR抑制后,共模和差模浪涌脈沖的幅度和能量均大幅度降低。

G1、G2的擊穿電壓可選1000Vp~3000Vp,VR的壓敏電壓一般取工頻電壓最大值的1.7倍。

G1、G2擊穿后會(huì )產(chǎn)生后續電流,一定要加保險絲以防后續電流過(guò)大使線(xiàn)路短路

實(shí)例2

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增加了兩個(gè)壓敏電阻VR1、VR2和一個(gè)放電管G3,主要目的是加強對共模浪涌電壓的抑制,由于壓敏電阻有漏電流,而一般電子產(chǎn)品都對漏電流要求很?chē)栏瘢ㄐ∮?.7mAp),所以圖中加了一個(gè)放電管G3,使平時(shí)電路對地的漏電流等于0。G3的擊穿電壓要遠小于G1、G2的擊穿電壓,采用G3對漏電隔離后,壓敏電阻VR1或VR2的擊穿電壓可相應選得比較低,VR1、VR2對差模浪涌電壓也有很強的抑制作用。

實(shí)例3

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G1是一個(gè)三端放電管,它相當于把兩個(gè)二端放電管安裝在一個(gè)殼體中,用它可以代替上面兩個(gè)實(shí)例中的G1、G2放電管。除了二端、三端放電管之外,放電管還有四端、五端的,各放電管的用途也不*相同。

實(shí)例4

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增加了兩個(gè)壓敏電阻(VR1、VR2),主要目的是為了隔斷G1擊穿后產(chǎn)生的后續電流,以防后續電流過(guò)大使輸入電路短路,但由于VR1、VR2的最大峰值電流一般只有G1的幾十分之一,所以,本實(shí)例對超高浪涌電壓的抑制能力相對實(shí)例3要的抑制能力差很多。

實(shí)例5 直接在PCB板上制作避雷裝置

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在PCB板上直接制作放電避雷裝置,可以代替防雷放電管,可以抑制數萬(wàn)伏共?;虿钅@擞侩妷簺_擊,避雷裝置電極之間距離一般要求比較嚴格,輸入電壓為AC110V時(shí),電極之間距離可選4.5mm,輸入電壓為AC220V時(shí),可選6mm;避雷裝置的中間電極一定要接到三端電源線(xiàn)與PCB板連接的端口上。

實(shí)例6 PCB板氣隙放電裝置代替放電管

在PCB板上直接制作氣隙放電裝置,正常放電電壓為每毫米1000~1500V,4.5mm爬電距離的放電電壓大約為4500~6800Vp,6mm爬電距離的放電電壓大約為6000~9000Vp。

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6、各種防雷器件的連接 

避雷器件的安裝順序不能搞錯,放電管必須在最前面,其次是浪涌抑制電感和壓敏電阻(或放電管),再其次才是半導體TVS閘流管或X類(lèi)電容及Y類(lèi)電容。

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