開(kāi)關(guān)電源電磁兼容設計經(jīng)驗談
更新時(shí)間：2022-03-29 點(diǎn)擊次數：939
隨著(zhù)電力電子技術(shù)的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源模塊因其相對體積小、效率高、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)開(kāi)始取代傳統整流電源而被廣泛應用到社會(huì )的各個(gè)領(lǐng)域。但由于開(kāi)關(guān)電源工作頻率高，內部產(chǎn)生很快的電流、電壓變化，即dv/dt和di/dt，導致開(kāi)關(guān)電源模塊將產(chǎn)生較強的諧波干擾和尖峰干擾，并通過(guò)傳導、輻射和串擾等耦合途徑影響自身電路及其它電子系統的正常工作，當然其本身也會(huì )受到其它電子設備電磁干擾的影響。這就是所討論的電磁兼容性問(wèn)題，也是關(guān)于開(kāi)關(guān)電源電磁兼容的電磁騷擾EMD與電磁敏感度EMS設計問(wèn)題。由于國家開(kāi)始對部分電子產(chǎn)品強制實(shí)行3C認證，因此一個(gè)電子設備能否滿(mǎn)足電磁兼容標準，將關(guān)系到這一產(chǎn)品能否在市場(chǎng)上銷(xiāo)售，所以進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性研究顯得非常重要
電磁兼容學(xué)是一門(mén)綜合性學(xué)科，它涉及的理論包括數學(xué)、電磁場(chǎng)理論、天線(xiàn)與電波傳播、電路理論、信號分析、通訊理論、材料科學(xué)、生物醫學(xué)等。進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設計時(shí)，首先進(jìn)行一個(gè)系統設計，明確以下幾點(diǎn)：2. 確定系統內的關(guān)鍵電路部分，包括強干擾源電路、高度敏感電路;3. 明確電源設備工作環(huán)境中的電磁干擾源及敏感設備;在開(kāi)關(guān)電源中常使用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續流二極管等，由于這些二極管都工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，如圖所示，在二極管由阻斷狀態(tài)到導通工作過(guò)程中，將產(chǎn)生一個(gè)很高的電壓尖峰VFP;在二極管由導通狀態(tài)到阻斷工作過(guò)程中，存在一個(gè)反向恢復時(shí)間trr，在反向恢復過(guò)程中，由于二極管封裝電感及引線(xiàn)電感的存在，將產(chǎn)生一個(gè)反向電壓尖峰VRP，由于少子的存儲與復合效應，會(huì )產(chǎn)生瞬變的反向恢復電流IRP，這種快速的電流、電壓突變是電磁干擾產(chǎn)生的根源。二極管反向恢復時(shí)電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形2.開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生電磁干擾二極管反向恢復時(shí)電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形在正激式、推挽式、橋式變換器中，流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負載時(shí)近似矩形波，含有豐富的高頻成分，這些高頻諧波會(huì )產(chǎn)生很強的電磁干擾，在反激變換器中，流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負載時(shí)近似三角波，高次諧波成分相對較少。開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很短以及逆變回路中引線(xiàn)電感的存在，將產(chǎn)生很大的dV/dt突變和很高的尖峰電壓，在開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)，由于關(guān)斷時(shí)間很短，將產(chǎn)生很大的di/dt突變和很高的電流尖峰，這些電流、電壓突變將產(chǎn)生很強的電磁干擾。3.電感、變壓器等磁性元件引起的電磁干擾：在開(kāi)關(guān)電源中存在輸入濾波電感、功率變壓器、隔離變壓器、輸出濾波電感等磁性元件，隔離變壓器初次級之間存在寄生電容，高頻干擾信號通過(guò)寄生電容耦合到次邊;功率變壓器由于繞制工藝等原因，原次邊耦合不理想而存在漏感，漏電感將產(chǎn)生電磁輻射干擾，另外功率變壓器線(xiàn)圈繞組流過(guò)高頻脈沖電流，在周?chē)纬筛哳l電磁場(chǎng);電感線(xiàn)圈中流過(guò)脈動(dòng)電流會(huì )產(chǎn)生電磁場(chǎng)輻射，而且在負載突切時(shí)，會(huì )形成電壓尖峰，同時(shí)當它工作在飽和狀態(tài)時(shí)，將會(huì )產(chǎn)生電流突變，這些都會(huì )引起電磁干擾。4.控制電路中周期性的高頻脈沖信號如振蕩器產(chǎn)生的高頻脈沖信號等將產(chǎn)生高頻高次諧波，對周?chē)娐樊a(chǎn)生電磁干擾。5.此外電路中還會(huì )有地環(huán)路干擾、公共阻抗耦合干擾，以及控制電源噪聲干擾等6.開(kāi)關(guān)電源中的布線(xiàn)設計非常重要，不合理布線(xiàn)將使電磁干擾通過(guò)線(xiàn)線(xiàn)之間的耦合電容和分布互感串擾或輻射到鄰近導線(xiàn)上，從而影響其它電路的正常工作。7.熱輻射產(chǎn)生的電磁干擾，熱輻射是以電磁波的形式進(jìn)行熱交換，這種電磁干擾影響其它電子元器件或電路的正常穩定工作。對于某一電子設備，外界對其產(chǎn)生影響的電磁干擾包括：電網(wǎng)中的諧波干擾、雷電、太陽(yáng)噪聲、靜電放電，以及周?chē)母哳l發(fā)射設備引起的干擾。電磁干擾將造成傳輸信號畸變，影響設備的正常工作。對于雷電、靜電放電等高能量的電磁干擾，嚴重時(shí)會(huì )損壞設備。而對于某些設備，電磁輻射會(huì )引起重要信息的泄漏。了解了開(kāi)關(guān)電源內部及外部電磁干擾源后，我們還應知道，形成電磁干擾機理的三要素是還有傳播途徑和受擾設備。因此開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容設計主要從以下三個(gè)方面入手：1，減小干擾源的電磁干擾能量;2，切斷干擾傳播途徑;3，提高受擾設備的抗干擾能力。正確了解和把握開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源及其產(chǎn)生機理和干擾傳播途徑，對于采取何種抗干擾措施以使設備滿(mǎn)足電磁兼容要求非常重要。由于干擾源有開(kāi)關(guān)電源內部產(chǎn)生的干擾源和外部的干擾源，而且可以說(shuō)干擾源無(wú)法消除，受擾設備也總是存在，因此可以說(shuō)電磁兼容問(wèn)題總是存在。下面以隔離式DC/DC變換器為例，討論開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設計：如圖所示，FV1為瞬態(tài)電壓抑制二極管，RV1為壓敏電阻，都具有很強的瞬變浪涌電流的吸收能力，能很好的保護后級元件或電路免遭浪涌電壓的破壞。Z1為直流EMI濾波器，必須良好接地，接地線(xiàn)要短，最好直接安裝在金屬外殼上，還要保證其輸入、輸出線(xiàn)之間的屏蔽隔離，才能有效的切斷傳導干擾沿輸入線(xiàn)的傳播和輻射干擾沿空間的傳播。L1、C1組成低通濾波電路，當L1電感值較大時(shí)，還需增加如圖所示的V1和R1元件，形成續流回路吸收L1斷開(kāi)時(shí)釋放的電場(chǎng)能，否則L1產(chǎn)生的電壓尖峰就會(huì )形成電磁干擾，電感L1所使用的磁芯最好為閉合磁芯，帶氣隙的開(kāi)環(huán)磁芯的漏磁場(chǎng)會(huì )形成電磁干擾，C1的容量較大為好，這樣可以減小輸入線(xiàn)上的紋波電壓，從而減小輸入導線(xiàn)周?chē)纬傻碾姶艌?chǎng)。2.高頻逆變電路的電磁兼容設計，如圖所示，C2、C3、V2、V3組成的半橋逆變電路，V2、V3為IGBT、MOSFET等開(kāi)關(guān)元件，在V2、 V3開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很快以及引線(xiàn)電感、變壓器漏感的存在，回路會(huì )產(chǎn)生較高的di/dt、dv/dt突變，從而形成電磁干擾，為此在變壓器原邊兩端增加R4、C4構成的吸收回路，或在V2、V3兩端分別并聯(lián)電容器C5、C6，并縮短引線(xiàn)，減小ab、cd、gh、ef的引線(xiàn)電感。在設計中，C4、 C5、C6一般采用低感電容，電容器容量的大小取決于引線(xiàn)電感量、回路中電流值以及允許的過(guò)沖電壓值的大小，LI2/2=C△V2/2公式求得C的大小，其中L為回路電感，I為回路電流，△V為過(guò)沖電壓值。為減小△V，就必須減小回路引線(xiàn)電感值，為此在設計時(shí)常使用一種叫“多層低感復合母排"的裝置，由我所申請專(zhuān).利.的該種母排裝置能將回路電感降低到足夠小，達10nH級，從而達到減小高頻逆變回路電磁干擾的目的。從電磁兼容性設計角度考慮，應盡量降低開(kāi)關(guān)管V2、V3的開(kāi)關(guān)頻率，從而降低di/dt、dv/dt值。另外使用ZCS或ZVS軟開(kāi)關(guān)變換技術(shù)能有效降低高頻逆變回路的電磁干擾。在大電流或高電壓下的快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作是產(chǎn)生電磁噪聲的根本，因此盡可能選用產(chǎn)生電磁噪聲小的電路拓撲，如在同等條件下雙管正激拓撲比單管正激拓撲產(chǎn)生電磁噪聲要小，全橋電路比半橋電路產(chǎn)生電磁噪聲要小。如圖所示增加吸收電路后開(kāi)關(guān)管上的電流、電壓波形與沒(méi)有吸收回路時(shí)的波形比較。在高頻變壓器T1的設計時(shí)，盡量選用電磁屏蔽性較好的磁芯材料。如圖所示，C7、C8為匝間耦合電路，C11為繞組間耦合電容，在變壓器繞制時(shí)，盡量減小分布電容C11，以減小變壓器原邊的高頻干擾耦合到次邊繞組。另外為進(jìn)一步減小電磁干擾，可在原、次邊繞組間增加一個(gè)屏蔽層，屏蔽層良好接地，這樣變壓器原、次邊繞組對屏蔽層間就形成耦合電容C9、C10，高頻干擾電流就通過(guò)C9、C10流到大地。由于變壓器是一個(gè)發(fā)熱元件，較差的散熱條件必然導致變壓器溫度升高，從而形成熱輻射，熱輻射是以電磁波形式對外傳播，因此變壓器必須有很好的散熱條件。通常將高頻變壓器封裝在一個(gè)鋁殼盒內，鋁盒還可安裝在鋁散熱器上，并灌注電子硅膠，這樣變壓器即可形成較好的電磁屏蔽，還可保證有較好的散熱效果，減小電磁輻射。如圖所示為輸出半波整流電路，V6為整流二極管，V7為續流二極管，由于V6、 V7工作于高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，因此輸出整流電路的電磁干擾源主要是V6和V7，R5、C12和R6、C13分別連接成V6、V7的吸收電路，用于吸收其開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰，并以熱的形式在R5、R6上消耗。減少整流二極管的數量就可減小電磁干擾的能量，因此同等條件下，采用半波整流電路比采用全波整流和全橋整流產(chǎn)生的電磁干擾要小。為減小二極管的電磁干擾，必須選用具有軟恢復特性的、反向恢復電流小、反向恢復時(shí)間短的二極管器件。從理論上講，肖特基勢壘二極管(SBD)是多數載流子導流，不存在少子的存儲與復合效應，因而也就不會(huì )有反向電壓尖峰干擾，但實(shí)際上對于較高反向工作電壓的肖特基二極管，隨著(zhù)電子勢壘厚度的增加，反向恢復電流會(huì )增大，也會(huì )產(chǎn)生電磁噪聲。因此在輸出電壓較低的情況下選用肖特基二極管作直流二極管產(chǎn)生的電磁干擾會(huì )比選用其它二極管器件要小。輸出直流濾波電路主要用于切斷電磁傳導干擾沿導線(xiàn)向輸出負載端傳播，減小電磁干擾在導線(xiàn)周?chē)碾姶泡椛洹?/span>如圖所示，L2、C17、C18組成的LC濾波電路，能減小輸出電流、電壓紋波的大小，從而減小通過(guò)輻射傳播的電磁干擾，濾波電容C17、C18盡量采用多個(gè)電容并聯(lián)，減小等效串聯(lián)電阻，從而減小紋波電壓，輸出電感L2值盡量大，減小輸出紋波電流的大小，另外電感L2最好使用不開(kāi)氣隙的閉環(huán)磁芯，最好不是飽和電感。在設計時(shí)，我們要記住，導線(xiàn)上有電流、電壓的變化，在導線(xiàn)周?chē)陀凶兓碾姶艌?chǎng)，電磁場(chǎng)就會(huì )沿空間傳播形成電磁輻射。C19用于濾除導線(xiàn)上的共模干擾，盡量選用低感電容，且接線(xiàn)要短，C20、C21、C22、C23用于濾除輸出線(xiàn)上的差模干擾，宜選用低感的三端電容，且接地線(xiàn)要短，接地可靠。Z3為直流EMI濾波器，根據情況使用或不使用，是采用單級還是多級濾波器，但要求Z3直接安裝在金屬機箱上，最好濾波器輸入、輸出線(xiàn)能屏蔽隔離。7. 接觸器、繼電器等其它開(kāi)關(guān)器件電磁兼容設計繼電器、接觸器、風(fēng)機等在掉電后，其線(xiàn)圈將產(chǎn)生較大的電壓尖峰，從而產(chǎn)生電磁干擾，為此在直流線(xiàn)圈兩端反并聯(lián)一個(gè)二極管或RC吸收電路，在交流線(xiàn)圈兩端并聯(lián)一個(gè)壓敏電阻用于吸收線(xiàn)圈掉電后產(chǎn)生的電壓尖峰。同時(shí)要注意如果接觸器線(xiàn)圈電源與輔助電源的輸入電源為同一個(gè)電源，之間最好通過(guò)一個(gè)EMI濾波器。繼電器觸頭動(dòng)作時(shí)也將產(chǎn)生電磁干擾，因此要在觸頭兩端增加RC吸收回路。8. 開(kāi)關(guān)電源箱體結構的電磁兼容設計材料選擇：沒(méi)有“磁絕緣"材料，電磁屏蔽是利用“磁短路"的原理，來(lái)切斷電磁干擾在設備內部與外界空氣中的傳播路徑。在進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的箱體結構設計時(shí)，要充分考慮對電磁干擾的屏蔽效能，對于屏蔽材料的選擇原則是，當干擾電磁場(chǎng)的頻率較高時(shí)，選用高電導率的金屬材料，屏蔽效果較好;當干擾電磁波的頻率較低時(shí)，要采用高導磁率的金屬材料，屏蔽效果較好;在某些場(chǎng)合下，如果要求對高頻和低頻電磁場(chǎng)都具有良好的屏蔽效果時(shí)，往往采用高電導率和高導磁率的金屬材料組成多層屏蔽體。孔洞、縫隙、搭接處理方法：采用電磁屏蔽方法無(wú)需重新設計電路，便可達到很好的電磁兼容效果。理想的電磁屏蔽體是一個(gè)無(wú)縫隙、無(wú)孔洞、無(wú)透入的導電連續體，低阻抗的金屬密封體，但是一個(gè)*密封的屏蔽體是沒(méi)有實(shí)用價(jià)值的，因為在開(kāi)關(guān)電源設備中，有輸入、輸出線(xiàn)過(guò)孔、散熱通風(fēng)孔等孔洞，以及箱體結構部件之間的搭接縫隙，如果不采取措施將會(huì )產(chǎn)生電磁泄漏，使箱體的屏蔽效能降低、甚至*喪失。因此在開(kāi)關(guān)電源箱體設計時(shí)，金屬板之間的搭接最好采用焊接，無(wú)法焊接時(shí)要使用電磁密封墊或其它的屏蔽材料，箱體上的開(kāi)孔要小于要屏蔽的電磁波的波長(cháng)的1/2，否則屏蔽效果將大大降低;對于通風(fēng)孔，在屏蔽要求不高時(shí)可以使用穿孔金屬板或金屬化絲網(wǎng)，在要求既要屏蔽效能高，又要通風(fēng)效果好時(shí)選用截至波導管等方法，提高屏蔽體的屏蔽效能。如果箱體的屏蔽效能仍無(wú)法滿(mǎn)足要求時(shí)，可以在箱體上噴涂屏蔽漆。除了對開(kāi)關(guān)電源整個(gè)箱體的屏蔽之外，還可以對電源設備內部的元件、部件等干擾源或敏感設備進(jìn)行局部屏蔽。在進(jìn)行箱體結構設計時(shí)，針對設備上所有會(huì )受到靜電放電試驗的部分，設計出一條低阻抗的電流泄放路徑，箱體必須有可靠的接地措施，并且要保證接地線(xiàn)的載流能力，同時(shí)將敏感電路或元件遠離這些泄放回路，或對其采用電場(chǎng)屏蔽措施。對于結構件的表面處理，一般主要電鍍銀、鋅、鎳、鉻、錫，這需要從導電性能、電化學(xué)反應、成本及電磁兼容性等多方面考慮后做出選擇。9. 元器件布局與布線(xiàn)中的電磁兼容設計：對于開(kāi)關(guān)電源設備內部元器件的布局必須整體考慮電磁兼容性的要求，設備內部的干擾源會(huì )通過(guò)輻射和串擾等途徑影響其它元件或部件的工作，研究表明，在離干擾源一定距離時(shí)，干擾源的能量將大大衰減，因此合理的布局有利于減小電磁干擾的影響。EMI輸入輸出濾波器最好安裝在金屬機箱的入口處，并保證其輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)電磁環(huán)境的屏蔽隔離。對于開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品，我們一般須遵守以下布線(xiàn)原則：9.1 主電路輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)分開(kāi)走線(xiàn)。9.2 EMI濾波器輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)分開(kāi)走線(xiàn)。9.3 主電路線(xiàn)與控制信號線(xiàn)分開(kāi)走線(xiàn)。9.4 高壓脈沖信號線(xiàn)最好分開(kāi)單獨走線(xiàn)。9.5 分開(kāi)布線(xiàn)的原則是避免平行走線(xiàn)，可以垂直交叉，線(xiàn)束之間距離在20mm以上。9.6 電纜不要貼著(zhù)金屬外殼和散熱器走線(xiàn)，保證一定距離。9.7 雙絞線(xiàn)、同軸電纜及帶狀電纜在EMC設計中的使用雙絞線(xiàn)、同軸電纜都能有效的抑制電磁干擾。在脈沖信號傳輸線(xiàn)路中常使用雙絞線(xiàn)，控制輔助電源線(xiàn)和傳感器信號線(xiàn)最好用雙絞屏蔽線(xiàn)。因為雙絞線(xiàn)兩根線(xiàn)之間有很小的回路面積，而且雙絞線(xiàn)的每?jì)蓚€(gè)相鄰的回路上感應出的電流具有大小相等、方向相反，產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消，這樣就可以減小因輻射引起的差模干擾，不過(guò)雙絞線(xiàn)絞合的圈數最好為偶數，且每單位波長(cháng)所絞合的圈數愈多，消除耦合的效果愈好。使用時(shí)注意雙絞線(xiàn)和同軸電纜兩端不能同時(shí)接地，只能單端接地，而對屏蔽線(xiàn)，屏蔽層兩端接地能既能屏蔽電場(chǎng)還能屏蔽磁場(chǎng)，單端接地只能屏蔽電場(chǎng)。使用同軸電纜時(shí)還要注意，其屏蔽層必須*包覆信號線(xiàn)接地，即接頭與電纜屏蔽層必須 3600搭接，才能有效屏蔽電磁場(chǎng)，如圖所示，信號線(xiàn)裸露部分仍可以與外界形成互容耦合，降低屏蔽效能。帶狀電纜適合于短距離的信號傳輸，我們知道為了降低差模信號的電磁輻射，必須減小信號線(xiàn)和信號回流線(xiàn)所形成的回路面積，因此在設計帶狀電纜布局時(shí)，最好將信號線(xiàn)與接地線(xiàn)間隔排列。如圖所示，其中S為信號線(xiàn)，G為信號地線(xiàn)。熱傳播的方式有傳導、對流和輻射，熱輻射是以電磁波的形式向空中傳播的，熱傳導也會(huì )向周?chē)渌鲗崃?，這些都會(huì )影響其它元器件或電路的正常工作，因此從元器件熱設計方面考慮要盡量留有較大余量，以降低元器件的溫升及器件表面的溫度，除元器件對溫升有特殊要求外，一般開(kāi)關(guān)電源要求內部元件溫度小于 90℃，內部環(huán)境溫度不超過(guò)65℃，以減小熱輻射干擾。對數字集成電路，從電磁兼容性角度看應多選用高噪聲容限的CMOS器件代替低噪聲容限的TTL器件。選用分布電感較小的SMP元件，選用高頻特性好、等效串聯(lián)電感低的陶瓷介質(zhì)電容器、高頻無(wú)感電容器、三端電容器和穿心電容器等作濾波電容。信號地是指信號電流流回信號源的一條低阻抗路徑。在設計中往往由于接地方法不恰當而產(chǎn)生地環(huán)路干擾和公共阻抗耦合干擾。因此要合理選用接地方式，接地的方式有單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地和混合接地。地環(huán)路干擾：常發(fā)生在通過(guò)較長(cháng)電纜連接，地相距較遠的設備之間。原因是由于地環(huán)路電流的存在，使兩個(gè)設備的地電位不同。通常用光電耦合器或隔離變壓器進(jìn)行“地"隔離，消除地環(huán)路干擾。由于隔離變壓器繞組之間寄生電容較大，即使采取屏蔽措施的隔離變壓器通常也只用于1MHZ以下的信號隔離，超過(guò)1MHZ時(shí)多采用光電耦合器隔離。公共阻抗耦合：當兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí)，就會(huì )發(fā)生公共阻抗耦合。由于地線(xiàn)是信號回流線(xiàn)，一個(gè)電路的工作狀態(tài)必然會(huì )影響地線(xiàn)電壓，當兩個(gè)電路共用一段地線(xiàn)時(shí)，地線(xiàn)的電壓就會(huì )同時(shí)受到兩個(gè)電路工作狀態(tài)的影響。可見(jiàn)無(wú)論是地環(huán)路干擾還是公共阻抗耦合問(wèn)題都是由于地線(xiàn)阻抗引起的，因此在設計時(shí)一定要考慮盡量降低地線(xiàn)阻抗與感抗。如何減小控制電源噪聲：電源線(xiàn)上有電流突變，就會(huì )產(chǎn)生噪聲電壓。在靠近芯片的位置增加解耦電容，能有效減小噪聲。如果是高頻電流負載，則采用多個(gè)同容量的高頻電容和無(wú)感電容并聯(lián)能獲得更好的效果。注意電容容量并非越大越好，主要根據其諧振頻率、提供脈沖電流頻率來(lái)選擇。印制板合理的布置地線(xiàn)將能有效的減小印制板的輻射以及提高其抗輻射干擾能力，請注意布置地線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )：在雙面板的兩面布置最多的平行地線(xiàn)。
對于一些關(guān)鍵信號(如脈沖信號和對外界較敏感的電平信號)的地線(xiàn)的布置必須盡量縮小引線(xiàn)長(cháng)度，減小信號的回流面積。如果是雙面板，地線(xiàn)和信號線(xiàn)可以在印制板兩面并聯(lián)平行走線(xiàn)。
若是多層線(xiàn)路板，且既有數字地又有模擬地，則數字地和模擬地必須布置在同一層，減小它們之間的耦合干擾。
在實(shí)際電路中常發(fā)生公共阻抗耦合，因此要根據實(shí)際情況選擇正確的接地方式。
12.1.IGBT，MOSFET等開(kāi)關(guān)元件的驅動(dòng)脈沖信號增加一個(gè)-5V～-10V的負電平，提高驅動(dòng)信號的抗干擾能力?；蝌寗?dòng)信號采用光纖傳輸技術(shù)，光纖適宜于遠距離傳輸，具有抗干.擾.能.力.強的特點(diǎn)。12.2.通過(guò)軟件的編程技術(shù)，提高開(kāi)關(guān)電源的抗干擾能力，為了防止電平信號中的毛刺，引起軟件的誤判斷及誤動(dòng)作，可以通過(guò)多次采樣等數字濾波方法來(lái)濾除干擾信號。本文詳細分析了隔離式DC/DC變換器存在的電磁干擾源及其產(chǎn)生機理，并詳細介紹了針對其主電路和控制電路的電磁兼容設計方法，這些方法對其它電子產(chǎn)品的電磁兼容設計具有一定的指導作用。
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