電子產(chǎn)品ESD分析你一定要做好

靜電放電(Electrostatic discharge, ESD)對于電子設備、器件來(lái)說(shuō)是一種近場(chǎng)干擾源，ESD給電子設備、器件帶來(lái)的干擾或損壞問(wèn)題日益嚴重。近年來(lái)，國內外報道由靜電放電導致的衛星失控，火箭發(fā)射失敗，飛機失事等惡性事故多達數十起。
在干燥環(huán)境中靜電放電（ESD）現象是普遍存在的，而且靜電荷可以聚集成上萬(wàn)伏特的危險靜電源。一旦形成放電賄賂，有事瞬間會(huì )形成幾十甚至上百安培的電流脈沖，這種放電過(guò)程往往在納秒量級完成，同時(shí)伴有強烈的快帶電磁輻射。所以，靜電放電不僅可以通過(guò)傳導途徑對敏感設備釋放能量，而且可以通過(guò)空間電磁輻射場(chǎng)把能量傳輸到附近設備上，從而對敏感設備造成干擾或損傷。
以計算機主機為例，主機機箱接手靜電放電電磁脈沖能量后，造成微處理器內寄存器內容發(fā)生變化，或程序指令中部分存儲比特變化，導致程序進(jìn)入死循環(huán)。靜電放電的尖峰干擾使計算機輸入或輸出瞬態(tài)錯誤信號，造成錯誤信號在系統內或超出系統進(jìn)行通信，并通過(guò)互連進(jìn)行錯誤信息的傳遞。同時(shí)，由于靜電放電的電磁干擾，存在存儲器內數據發(fā)生變化。
為進(jìn)一步研究靜電放電對產(chǎn)品的危害，提高產(chǎn)品對靜電放電的防護能力，元王采用CST軟件對某機箱產(chǎn)品進(jìn)行了靜電放電效應的仿真研究。
結論及優(yōu)化建議
此機箱上使用的數據交換芯片為低功耗芯片，芯片工作狀態(tài)轉換電壓為2.5V，從仿真結果可以看出，芯片敏感信號管腳上的感應電壓高達1V，可能會(huì )導致信號時(shí)序混亂、信號丟失。
建議在芯片的特殊功能管腳（如使能管腳）處并聯(lián)相應的TVS管，以防靜電對數據交換芯片的其他管腳有所沖擊，導致設備工作異常。